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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Confronto
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs AMD R7S44G2606U1S 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
52
Intorno -160% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.9
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
20
Velocità di lettura, GB/s
9.8
18.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2179
2707
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
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