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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
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Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Motivi da considerare
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
49
Intorno -48% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.9
10.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.0
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
33
Velocità di lettura, GB/s
10.1
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2070
3385
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
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