RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Teclast TLD416G26A30 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Teclast TLD416G26A30 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Teclast TLD416G26A30 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
42
Intorno -17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
36
Velocità di lettura, GB/s
10.6
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
2719
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link