RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
60
104
Intorno -73% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
7.8
3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2.8
2,404.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
60
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
7.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
2.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
1505
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link