Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    3 left arrow 16.6
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    31 left arrow 73
    Intorno -135% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.5 left arrow 1,423.3
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 5300
    Intorno 4.02 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    73 left arrow 31
  • Velocità di lettura, GB/s
    3,510.5 left arrow 16.6
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,423.3 left arrow 12.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    476 left arrow 2605
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti