Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Punteggio complessivo
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Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    15.5 left arrow 8.2
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.0 left arrow 5.2
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    25600 left arrow 14900
    Intorno 1.72% larghezza di banda superiore
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    32 left arrow 38
    Intorno -19% latenza inferiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    38 left arrow 32
  • Velocità di lettura, GB/s
    15.5 left arrow 8.2
  • Velocità di scrittura, GB/s
    12.0 left arrow 5.2
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    25600 left arrow 14900
Other
  • Descrizione
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 9-10-9-28 / 1866 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2283 left arrow 1409
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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