SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Punteggio complessivo
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Punteggio complessivo
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    32 left arrow 37
    Intorno -16% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    16.8 left arrow 14.7
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    15.4 left arrow 10.6
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 17000
    Intorno 1.25 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    37 left arrow 32
  • Velocità di lettura, GB/s
    14.7 left arrow 16.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    10.6 left arrow 15.4
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    17000 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2438 left arrow 3579
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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