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SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Confronto
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
55
Intorno 25% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
12.2
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
55
Velocità di lettura, GB/s
15.5
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
12.2
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2902
2701
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
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