RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Confronto
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
51
Intorno 18% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
51
Velocità di lettura, GB/s
11.7
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2535
2570
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link