RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
20.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
50
Intorno -178% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.8
1,457.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
18
Velocità di lettura, GB/s
3,757.3
20.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,457.4
17.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
557
3507
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link