Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

総合得点
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

総合得点
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

相違点

  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 10.4
    テスト平均値
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    54 left arrow 60
    周辺 -11% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.2 left arrow 2,168.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    23400 left arrow 5300
    周辺 4.42 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    60 left arrow 54
  • 読み出し速度、GB/s
    4,595.2 left arrow 10.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,168.2 left arrow 8.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 23400
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
    941 left arrow 2259
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