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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
比較する
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
総合得点
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
総合得点
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
77
周辺 57% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.6
15.5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.0
8.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
19200
周辺 1.33% 高帯域
考慮すべき理由
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
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仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
33
77
読み出し速度、GB/s
17.6
15.5
書き込み速度、GB/秒
12.0
8.2
メモリ帯域幅、mbps
25600
19200
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2910
1809
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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