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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
総合得点
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
総合得点
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
45
周辺 -61% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.3
12.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.4
8.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
45
28
読み出し速度、GB/s
12.3
17.3
書き込み速度、GB/秒
8.0
13.4
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1992
3299
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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