RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
比較する
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
総合得点
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
総合得点
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
バグを報告する
考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
32
37
周辺 -16% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.8
14.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.4
10.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
17000
周辺 1.25 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
37
32
読み出し速度、GB/s
14.7
16.8
書き込み速度、GB/秒
10.6
15.4
メモリ帯域幅、mbps
17000
21300
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2438
3579
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link