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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
総合得点
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
96
122
周辺 21% 低遅延
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
9.4
2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
5.8
1,336.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
96
122
読み出し速度、GB/s
2,725.2
9.4
書き込み速度、GB/秒
1,336.0
5.8
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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