RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
41
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
35
Prędkość odczytu, GB/s
14.0
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2324
1998
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Mushkin 991586 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link