RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
21.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
17.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
46
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
21.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
17.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
4142
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Corsair CMD16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD16GX3M2A2400C10 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link