RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
55
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.3
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.4
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
55
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2078
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link