RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2234
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link