RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3961
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link