RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB vs Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
34
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
34
Prędkość odczytu, GB/s
17.9
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
14.7
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3705
2763
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link