RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
44
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
44
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
3146
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link