RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
3671
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link