RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
14
27
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
25.1
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.3
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
14
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
25.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
19.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
4182
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link