RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
41
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
37
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
3170
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link