RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
41
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
2382
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link