RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Porównaj
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB vs G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
7.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.4
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2078
2945
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link