RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
49
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3166
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link