RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.4
7.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
27
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.9
18.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2126
3826
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link