RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3844
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link