RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
32
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.4
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
8.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2214
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link