RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.1
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
21.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
19.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
4394
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link