RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
62
Wokół strony -170% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.3
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
23
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
21.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
4151
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link