RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
62
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
39
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2443
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link