RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Wynik ogólny
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
66
Wokół strony -120% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
1,433.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,234.7
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,433.1
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
462
3258
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link