RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
65
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2429
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link