RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
65
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2365
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link