RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.7
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3706
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingston 99U5471-054.A00LF 8GB
Kingston 9905403-518.A00LF 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link