RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
39
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
39
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2571
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link