RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
34
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.7
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3700
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link