RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
34
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
34
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2297
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link