RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3116
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link