RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
83
Wokół strony 39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
83
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
1752
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link