RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
51
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2892
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link