RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
51
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
29
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3285
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link