RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
36
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
22
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
3192
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link