RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
54
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
49
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2534
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link