RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
64
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2972
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link