RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.7
8.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.0
5.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
42
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
37
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
8.8
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
5.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
1967
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KF552C40-16 16GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9N1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link