RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
42
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
39
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2782
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Mushkin 991586 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link